[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201780053920.1 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109661729A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 冈田训明 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/28 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 有源矩阵基板(100)具有：基板(12)；第1薄膜晶体管(10A)，其支撑于基板(12)，具有包含结晶质硅的第1半导体层(13A)；第2薄膜晶体管(10B)，其支撑于基板(12)，具有包含氧化物半导体的第2半导体层(17)；以及第3半导体层(13B)，其隔着第1绝缘层(14)配置在第2薄膜晶体管(10B)的第2半导体层(17)的基板(12)侧，包含硅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 基板 薄膜晶体管 源矩阵基板 绝缘层 氧化物半导体 结晶质 支撑 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具有：基板；第1薄膜晶体管，其支撑于上述基板，具有包含结晶质硅的第1半导体层；第2薄膜晶体管，其支撑于上述基板，具有包含氧化物半导体的第2半导体层；以及第3半导体层，其隔着第1绝缘层配置在上述第2薄膜晶体管的上述第2半导体层的上述基板侧，包含硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780053920.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅半导体装置及其制造方法
- 下一篇：光电子器件
- 同类专利
- 专利分类
