[发明专利]激光修复方法和激光修复设备在审
申请号: | 201780053942.8 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN109661614A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 张耀宇;王小文;王彤 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;B08B7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种激光修复方法和设备,用于去除基板(20)上的杂质(30),激光修复方法包括步骤:获取一个杂质(30)在基板(20)上的初始位置(S1);轰击位于初始位置的杂质(30)(S2);以初始位置为中心检测基板(20)的周缘位置是否有残留杂质(32)(S3),周缘位置环绕初始位置;若周缘位置有残留杂质(32),则轰击位于周缘位置的残留杂质(32)(S4)。 | ||
搜索关键词: | 周缘位置 激光修复 基板 残留 轰击 激光修复设备 方法和设备 中心检测 去除 环绕 | ||
【主权项】:
PCT国内申请,权利要求书已公开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市柔宇科技有限公司,未经深圳市柔宇科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780053942.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备