[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201780054066.0 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109643713A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 山本薰 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C17/06;H01L29/786;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置是具有多个存储单元(MC1、MC2)的半导体装置，多个存储单元(MC1、MC2)各自具有：存储晶体管(10M)，其具有氧化物半导体层(17M)作为活性层；以及第1选择晶体管(10S)，其具有结晶质硅层(13S)作为活性层，以串联的方式连接到存储晶体管(10M)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 存储晶体管 存储单元 活性层 氧化物半导体层 选择晶体管 结晶质 硅层 串联 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有多个存储单元，其特征在于，上述多个存储单元各自具有：存储晶体管，其具有氧化物半导体层作为活性层；以及第1选择晶体管，其具有结晶质硅层作为活性层，以串联的方式连接到上述存储晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
