[发明专利]光学近场度量有效
| 申请号： | 201780054088.7 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109661559B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | Y·帕斯卡维尔;A·玛纳森;V·莱温斯基 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02;G01B9/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供利用光学微腔探针以依遵循高体积度量要求的方式通过所述光学微腔探针之间的近场相互作用来映射晶片表面构形的系统及方法。所述光学微腔探针通过参考辐射与微腔及晶片特征中的辐射的近场相互作用之间的干扰信号的移位来检测晶片上的特征，例如装置特征及度量目标特征。各种照明及检测配置提供用于相对于其准确度及灵敏度来增强光学度量测量的快速且敏感的信号。所述光学微腔探针可相对于所述晶片而在受控高度及位置处被扫描，且提供有关装置特征与目标特征之间的空间关系的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 近场 度量 | ||
【主权项】：
1.一种系统，其包括：至少一个光学微腔传感器，其经配置以检测晶片上的特征，及控制器，其经配置以通过使所述至少一个光学微腔传感器在装置的特征与叠加目标的特征之间移动来测量所述装置的特征与所述叠加目标的特征之间的距离。
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