[发明专利]用于基板处理设备的气体喷涂设备及基板处理设备有效
申请号: | 201780054333.4 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN109661714B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 金成培;孙清 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/687;H05H1/46;H01L21/683;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于基板处理设备的气体分配设备以及基板处理设备,所述气体分配设备包括:分配体,向对基板进行支撑的基板支撑单元分配处理气体;第一注入孔,设置在分配体中,向基板支撑单元分配的处理气体经由第一注入孔注入;以及第二注入孔,设置在分配体中在与第一注入孔间隔开的位置处,向基板支撑单元分配的处理气体经由第二注入孔被注入。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 设备 气体 喷涂 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理设备,包括:处理腔室;基板支撑单元,所述基板支撑单元安装在所述处理腔室中以支撑多个基板;腔室盖,所述腔室盖覆盖所述处理腔室的上部;以及处理气体分配单元,所述处理气体分配单元安装在所述腔室盖中,以向所述基板支撑单元分配处理气体,其中,所述处理气体分配单元包括安装在所述腔室盖中的分配体以及面向所述基板支撑单元的等离子体电极,并且所述等离子体电极包括第一等离子体电极和第二等离子体电极,所述第二等离子体电极比所述第一等离子体电极短。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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