[发明专利]用于血流动力学穿戴式装置的表面声波RFID感测器

摘要

本发明公开了一种基于表面声波(SAW)传感器和二维电子气(2DEG)或二维空穴气(2DHG)传导结构的组合的射频识别(RFID)感测器的实施例以及其在血流动力学穿戴式装置中的使用。所述SAW RFID感测器芯片包含压电结构，其上沉积有多层异质结构。所述异质结构包括至少两层：缓冲层和势垒层，其中所述层由III‑V单晶或多晶半导体材料生长而成，例如Ga N/Al Ga N。交叉指形传感器(IDT)转换SAW安装在所述势垒层的顶部。2DEG或2DHG导通道形成于所述缓冲层与所述势垒层之间的界面处并且在连接于所形成通道的非欧姆(电容耦合)源极和漏极触点之间的系统中提供电子或空穴电流。

主权项

1.一种表面声波(SAW)射频识别(RFID)感测器芯片，其包括：压电衬底，所述衬底包括压电层和沉积在所述压电层上的多层异质结构，所述结构由Ⅲ‑V单晶或多晶半导体层制成并且包括至少一个缓冲层和至少一个势垒层，所述层交替层叠；至少一对金属交叉指形(IDT)，安装在所述压电衬底上用于接收射频(RF)输入信号，将所述输入信号转换为表面声波(SAW)，沿所述压电衬底的表面传播所述表面声波并且将所述传播的表面声波转换为输出RF信号；至少一个常开或常关二维电子气(2DEG)或二维空穴气(2DHG)结构，沉积在所述压电衬底用于在所述缓冲层和所述势垒层之间的界面处的所述多层异质结构中形成常开或常关2DEG或2DHG导通道；至少一个伪传导2DEG或2DHG，沉积在所述压电衬底上用于在所述层与势垒层之间的界面处的所述多层异质结构中形成伪传导2DEG或2DHG通道；和电气金属镀层，电容耦合到所述IDT、所述常开或常关2DEG或2DHG结构和所述伪传导2DEG或2DHG结构用于诱导位移电流，从而产生非欧姆源和漏极源，以用于将所述感测器芯片连接到电路。