[发明专利]多硅原子量子点和包含其的设备在审
| 申请号： | 201780055742.6 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109803918A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·A·伍尔科夫;罗山·阿盖;塔利亚纳·哈夫;哈特姆·拉比迪;卢西恩·利瓦达鲁;保罗·皮瓦;穆罕默德·拉希迪 | 申请（专利权）人： | 昆腾硅公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y20/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 加拿大阿尔伯塔省埃德*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 提供一种多原子硅量子点，其在另外的H封端硅表面上包括多个悬空键，每个悬空键具有+1、0或－1的三种电离状态中的一种并且分别对应于悬空键状态下的0、1或2个电子。悬空键紧密靠近在一起并且在硅带隙中能量上具有悬空键状态，并且选择性地控制一个悬空键的电离状态。通过在多个悬空键中包括至少一个输入和至少一个输出来提供一类新的电子元件。还详细说明了选择性修改或创建悬空键。 | ||
| 搜索关键词： | 悬空键 电离 量子点 选择性修改 设备提供 硅表面 硅原子 原子硅 封端 硅带 输出 创建 | ||
【主权项】：
1.一种多原子硅量子点，包括：第一多个悬空键，在另外的H封端硅表面上，每一个所述多个悬空键具有+1、0或－1的三种电离状态中的一种并且分别对应处于悬空键状态的0、1或2个电子；所述第一多个悬空键紧密靠近在一起，在硅带隙中能量上具有悬空键状态，并选择性地控制所述第一多个悬空键之一的电离状态。
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