[发明专利]使用逆自旋霍尔效应的磁传感器有效
| 申请号： | 201780055834.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109690338B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | P·A·凡德赫顿;Q·勒;K·S·霍;X·刘;G·M·巴奥德阿布克尔克 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;H01J43/06;G11B5/33;G11B5/37 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁传感器，所述磁传感器基于逆自旋霍尔效应产生信号。所述传感器包括磁性自由层和定位在相邻于所述磁性自由层的非磁性导电自旋霍尔层。电路被配置成供应电流，所述电流在大体垂直于所述层的平面或垂直于由在所述磁性自由层和所述自旋霍尔层之间的界面限定的平面的方向上穿过所述磁性自由层和所述自旋霍尔层。所述逆自旋霍尔效应由于所述电流引起所述自旋霍尔层中的电压，并且所述电压相对于所述磁性自由层的磁化的取向而改变。提供了用于测量在大体垂直于所述电流的方向的方向上所述自旋霍尔层中的所述电压的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 自旋 霍尔 效应 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，包括：磁性自由层；自旋霍尔层，所述自旋霍尔层相邻于所述磁性自由层形成、由导电非磁性材料形成；电路，所述电路被配置成引起电流在垂直于所述层的平面的方向上流过所述磁性自由层和所述自旋霍尔层；以及电路，所述电路用于测量在基本上垂直于所述电流的方向的方向上所述自旋霍尔层两端的电压。
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