[发明专利]具有咔唑结构的化合物

摘要

本发明涉及被电子传输基团取代的咔唑衍生物，其特别是用于电子器件中。本发明还涉及用于制备根据本发明的化合物的方法，和包含所述化合物的电子器件。

主权项

1.一种化合物，其包含式(I)的结构：其中所用的符号如下：A¹、A²、A³、A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸在每种情况下相同或不同并且是N或CR¹，或者两个相邻的A¹、A²、A³、A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸基团一起是O、S或NR¹，其条件是形成5元环或6元环；Y¹、Y²、Y³、Y⁴在每种情况下相同或不同并且是N或CR¹，或者两个相邻的Y¹、Y²、Y³、Y⁴基团一起是O、S、NR¹，其条件是形成5元环或6元环；Z在每种情况下相同或不同并且是O、S、NR¹、PR¹或C(R¹)₂；L是键或者具有5至24个芳族环原子并且可被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；Q是电子传输基团；R¹在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，B(OR²)₂，CHO，C(＝O)R²，CR²＝C(R²)₂，CN，C(＝O)OR²，C(＝O)N(R²)₂，Si(R²)₃，N(R²)₂，NO₂，P(＝O)(R²)₂，OSO₂R²，OR²，S(＝O)R²，S(＝O)₂R²，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R²基团取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可被‑R²C＝CR²‑、‑C≡C‑、Si(R²)₂、Ge(R²)₂、Sn(R²)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR²、NR²、P(＝O)(R²)、‑C(＝O)O‑、‑C(＝O)NR²‑、‑O‑、‑S‑、SO或SO₂代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R²基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R²基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或具有10至40个芳族环原子并且可被一个或多个R²基团取代的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个R¹基团一起可形成环系；R²在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，B(OR³)₂，CHO，C(＝O)R³，CR³＝C(R³)₂，CN，C(＝O)OR³，C(＝O)N(R³)₂，Si(R³)₃，N(R³)₂，NO₂，P(＝O)(R³)₂，OSO₂R³，OR³，S(＝O)R³，S(＝O)₂R³，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R³基团取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可被‑R³C＝CR³‑、‑C≡C‑、Si(R³)₂、Si(R³)₂、Ge(R³)₂、Sn(R³)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR³、NR³、P(＝O)(R³)、‑C(＝O)O‑、‑C(＝O)NR³‑、‑O‑、‑S‑、SO或SO₂代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R³基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R³基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R³基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或具有10至40个芳族环原子并且可被一个或多个R³基团取代的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个R²取代基一起也可形成单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；R³在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族有机基团，其中氢原子还可被F代替；同时，两个或更多个R³取代基一起也可形成单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；其条件是A¹、A²、A³、A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸、Y¹、Y²、Y³、Y⁴基团中的至少一个是N和/或至少两个相邻的A¹、A²、A³、A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸、Y¹、Y²、Y³、Y⁴基团是O、S或NR¹。