[发明专利]CEM切换装置在审
| 申请号： | 201780056439.8 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN109690799A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | K·G·瑞德;L·施弗仁 | 申请（专利权）人： | 阿姆有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本技术涉及一种用于制造包括含硅的关联电子材料的切换装置的方法。在实施方案中，描述了用于形成含硅的关联电子材料的方法。与用于形成仅包含过渡金属氧化物的关联电子材料的那些工艺相比，这些工艺可以使用相对较低的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 关联电子材料 切换装置 过渡金属氧化物 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造CEM切换装置的方法，该方法包括：形成导电基底，在导电基底之上或上方形成含硅的关联电子材料(CEM)的层，以及在含硅CEM层上形成导电覆盖层。
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