[发明专利]在碳基粉末上制备硅纳米线用于电池中的制造设备和方法有效
| 申请号： | 201780056498.5 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109689567B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 朱毅暋;V·普吕维纳热 | 申请（专利权）人： | 1D材料公司 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027;C01B33/021;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C16/24 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了在碳基粉末例如石墨上制备硅(Si)纳米线的制造设备、系统和方法，碳基粉末上的硅纳米线可用作锂离子电池中的阳极。在一些实施方案中，描述了用于按比例增大的数量在碳基粉末上生长硅纳米线的本发明的转筒反应器和化学气相沉积(CVD)系统和方法从而提供用于电池工业的生产规模阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 粉末 制备 纳米 用于 电池 中的 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.制造硅纳米线的方法，包括：通过在CVD反应器中化学气相沉积含有硅的前体从而在碳基粉末上生长硅纳米线，其中该含有硅的前体至硅纳米线的转化为至少30％，构造该CVD反应器从而每批次加工至少1kg碳基粉末，和其中所述生长生产碳基硅纳米线复合材料粉末，所述碳基硅纳米线复合材料粉末包含碳基粉末与一端附着至该碳基粉末的硅纳米线，并具有硅与碳重量比为至少4％的硅纳米线密度。
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