[发明专利]玻璃衬底的清洗方法、半导体装置的制造方法及玻璃衬底有效
申请号: | 201780056499.X | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN109690734B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;佐藤将孝;井户尻悟;高濑奈津子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 再利用玻璃衬底。提高半导体装置的量产性。本发明的一个方式是其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底。第一材料具有金属和金属氧化物中的一个或两个。第二材料具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。此外,本发明的一个方式是玻璃衬底的清洗方法,该清洗方法包括准备其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底的步骤及去除第二材料的至少一部分以暴露第一材料的步骤。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 衬底 清洗 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在玻璃衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;在所述第二材料层上形成第一被剥离层;使用所述第一材料层及所述第二材料层分离所述玻璃衬底和所述第一被剥离层;以及去除残留在所述玻璃衬底上的所述第一材料层的至少一部分,其中,所述第一材料层具有金属和金属氧化物中的一个或两个,并且,所述第二材料层具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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