[发明专利]玻璃衬底的清洗方法、半导体装置的制造方法及玻璃衬底有效

专利信息
申请号: 201780056499.X 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN109690734B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 山崎舜平;佐藤将孝;井户尻悟;高濑奈津子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/304;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 再利用玻璃衬底。提高半导体装置的量产性。本发明的一个方式是其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底。第一材料具有金属和金属氧化物中的一个或两个。第二材料具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。此外,本发明的一个方式是玻璃衬底的清洗方法,该清洗方法包括准备其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底的步骤及去除第二材料的至少一部分以暴露第一材料的步骤。
搜索关键词: 玻璃 衬底 清洗 方法 半导体 装置 制造
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在玻璃衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;在所述第二材料层上形成第一被剥离层;使用所述第一材料层及所述第二材料层分离所述玻璃衬底和所述第一被剥离层;以及去除残留在所述玻璃衬底上的所述第一材料层的至少一部分,其中,所述第一材料层具有金属和金属氧化物中的一个或两个,并且,所述第二材料层具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。
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