[发明专利]外延片的金属可调薄膜应力补偿在审
| 申请号： | 201780056745.1 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN110235220A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·贝洛蒂;莫森·舒肯尼 | 申请（专利权）人： | II-VI光电子设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市炜衡律师事务所 11375 | 代理人： | 许育辉 |
| 地址： | 美国新泽西州07*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在外延片的背面施加金属应力可调薄膜结构，以补偿正面外延层产生的应力。该结构可包含多层，包括金属应力补偿层（“SCL”）、金属粘合层和/或钝化（或焊接）层。在其他实施例中，应力补偿结构仅包括金属应力补偿层。在第一个应用中，金属应力补偿结构在开始器件制造之前应用于外延片的背面，以纠正现有的已购晶圆中的弯曲。在第二种应用中，金属应力补偿结构在完成正面处理时应用于薄外延片的背面，以防止从刚性支撑结构或载盘上移除时弓形诱导的晶圆破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 外延片 应力补偿结构 背面 应力补偿层 应用 晶圆 可调 刚性支撑结构 金属粘合层 薄膜结构 器件制造 应力补偿 弓形 外延层 钝化 多层 上移 载盘 薄膜 焊接 诱导 破裂 施加 纠正 | ||
【主权项】：
1.一种应力补偿外延片，其包括：具有第一和第二相对主表面的半导体基板；多个交替或可变成分的外延层形成在基板的第一主表面上，在晶圆内产生应力；沉积在基板的第二相对主表面上的金属应力补偿结构，其中由多个外延层产生的应力引起的晶圆中的弯曲基本上被金属应力补偿结构的一个或多个可控特性所抵消。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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