[发明专利]用于宽范围温度控制的加热器基座组件有效
| 申请号： | 201780057399.9 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109716497B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | K·阿拉亚瓦里;A·巴拉克里希纳;S·巴录佳;A·K·班塞尔;M·J·布舍;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;S·T·斯里尼瓦桑;T·乌拉维;周建华 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 范围 温度 控制 加热器 基座 组件 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体处理腔室的基座组件，包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料，并且所述基板支撑件具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；轴，所述轴具有中空芯，并且所述轴在所述中空芯的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；和导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述中空芯的所述第一端之间的界面处，其中所述导热材料具有约每米开尔文4.0瓦特(4.0W/m·K)的热导率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
