[发明专利]集成在硅控制底板上的竖直发射器在审
| 申请号： | 201780057434.7 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109716600A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | M·德拉德;A·拉弗莱奎尔 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/183;H01L27/15;H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造方法，该方法包括：通过在III‑V族半导体基板(20)上沉积多个外延层而制造竖直发射器(32)的阵列(22)，以及在硅基板(26)上制造用于竖直发射器的控制电路(30)。将竖直发射器的相应前侧(52)粘结到硅基板，与控制电路对准。在粘结相应前侧之后，从竖直发射器的相应后侧(50)减薄III‑V族半导体基板，并在竖直发射器上方沉积金属迹线(78)，以将竖直发射器连接到控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 发射器 竖直 控制电路 半导体基板 硅基板 粘结 制造 发射器连接 沉积金属 控制底板 外延层 迹线 减薄 沉积 对准 | ||
【主权项】：
1.一种制造方法，包括：通过在III‑V族半导体基板上沉积多个外延层来制造竖直发射器阵列；在硅基板上制造用于所述竖直发射器的控制电路；将所述竖直发射器的相应前侧粘结到所述硅基板，与所述控制电路对准；在粘结所述相应前侧之后，从所述竖直发射器的相应后侧减薄所述III‑V族半导体基板；以及在减薄所述III‑V族半导体基板之后，在所述竖直发射器上方沉积金属迹线以将所述竖直发射器连接到所述控制电路。
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