[发明专利]n型SiC单晶基板及其制造方法以及SiC外延晶片有效
| 申请号： | 201780057496.8 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109715867B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 江藤数马;周防裕政;加藤智久 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开提供一种n型SiC单晶基板，该n型SiC单晶基板是将施主和受主共同掺杂进去的基板，基板的外周部的施主浓度与受主浓度之差小于中央部的施主浓度与受主浓度之差，并且外周部的施主浓度与受主浓度之差小于3.0×10 |
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| 搜索关键词： | sic 单晶基板 及其 制造 方法 以及 外延 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种n型SiC单晶基板，是施主和受主一起被掺杂进去了的基板，基板的外周部的施主浓度与受主浓度之差小于中央部的施主浓度与受主浓度之差，并且所述外周部的施主浓度与受主浓度之差小于3.0×1019/cm3。
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