[发明专利]衬底处理装置有效
| 申请号： | 201780057738.3 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109791884B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 铃木达大;德利宪太郎;西村高志;结城嘉晓;玉置康人;宫路信行;平下友美;内田博章;奥谷洋介 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供抑制衬底的污染的技术。衬底处理装置具备：衬底保持部，其水平地保持衬底；处理液供给部，其向被保持于衬底保持部的衬底供给处理液；和受液部，其围绕衬底保持部的周围，并接收从衬底飞散的处理液。另外，受液部的内周面具有在被保持于衬底保持部的衬底侧露出的多个槽，多个槽各自的延伸方向包含铅垂方向的分量。因此，处理液的液滴易于在槽内合流并因自重而落下。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.衬底处理装置，其具备：衬底保持部，其水平地保持衬底；处理液供给部，其向被保持于所述衬底保持部的所述衬底供给处理液；受液部，其围绕所述衬底保持部的周围，并接收从所述衬底飞散的所述处理液；和衬底旋转部，其以穿过被保持于所述衬底保持部的所述衬底的中心且沿铅垂方向延伸的旋转轴为中心而使所述衬底旋转，其中，所述受液部的内周面具有在被保持于所述衬底保持部的所述衬底侧露出的多个槽，所述多个槽各自的延伸方向包含铅垂方向的分量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
