[发明专利]具有增强性能的晶片级封装在审

专利信息
申请号: 201780058052.6 申请日: 2017-08-14
公开(公告)号: CN109716511A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 扬·爱德华·万德梅尔;乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔 申请(专利权)人: QORVO美国公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 刘丹
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开涉及一种晶片级封装,所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片包括由玻璃材料形成的第一装置层(24)。所述多层再分布结构包括再分布互连件,所述再分布互连件将所述第一装置层连接到在所述多层再分布结构的底部表面上的封装触点(44)。在本文中,所述再分布互连件与所述第一装置层之间的连接不含焊料。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片,并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
搜索关键词: 再分布 薄化 裸片 多层 第一装置 第一模 互连件 晶片级封装 顶部表面 第二模 封装 开口 焊料 玻璃材料 底部表面 增强性能 驻留 触点 填充 种晶 延伸
【主权项】:
1.一种设备,所述设备包括:·包括第一装置层的第一薄化裸片,所述第一装置层由玻璃材料形成,并且包括在所述第一装置层的底部表面处的多个第一裸片触点;·多层再分布结构,所述多层再分布结构包括在所述多层再分布结构的底部表面上的多个封装触点,和将所述多个封装触点连接到所述多个第一裸片触点中的特定第一裸片触点的再分布互连件,其中所述再分布互连件与所述多个第一裸片触点之间的连接不含焊料;·第一模化合物,所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片,并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口,其中所述第一薄化裸片的所述顶部表面在所述开口的底部处暴露;以及·第二模化合物,所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
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