[发明专利]开关装置、存储设备和存储器系统在审

申请号：	201780058101.6	申请日：	2017-09-12
公开（公告）号：	CN109716507A	公开（公告）日：	2019-05-03
发明（设计）人：	清宏彰;大场和博;曾根威之;野野口诚二;五十岚实	申请（专利权）人：	索尼半导体解决方案公司
主分类号：	H01L21/8239	分类号：	H01L21/8239;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	张小稳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	根据本公开的一个实施例的开关元件设置有第一电极、被排列为面向第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的开关层。开关层包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素以及选自磷(P)和砷(As)中的至少一种第一元素，同时另外地包括选自硼(B)和碳(C)中的至少一种第二元素和/或选自铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)中的至少一种第三元素。
搜索关键词：	第一电极第二电极开关层存储器系统存储设备开关元件硫族元素
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【主权项】：

1.一种开关装置，包括：第一电极；与第一电极相对的第二电极；和设置在第一电极和第二电极之间的开关层，开关层包括选自碲Te、硒Se和硫S中的一种或多种硫族元素以及选自磷P和砷As中的一种或多种第一元素，并且该开关层还包括选自硼B和碳C中的一种或多种第二元素以及选自铝Al、镓Ga和铟In中的一种或多种第三元素中的一者或两者。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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