[发明专利]用于分子传感器件的多电极结构及其制造方法

摘要

能在分子传感器器件中使用的结构包括限定衬底平面的衬底、以及与衬底平面成角度地附着到衬底的间隔开的电极片对。该结构还包括在每个电极片对中的每个电极片之间的内部介电片、以及在每个电极片对之间的外部介电片。进一步公开了用于制造用于分子传感器的结构的制造方法，包括电极层和介电层的倾斜角度沉积、所得堆叠的平面化、以及去除每个内部介电片的端部以在其中形成凹槽。

主权项

1.一种制造能在分子传感器器件中使用的结构的方法，所述方法包括：提供限定衬底平面的衬底，该衬底具有从所述衬底与所述衬底平面成角度地突出的突起；以沿着所述突起的侧面的取向沉积第一电极层，以便与所述衬底平面成所述角度地形成第一电极片；在所述第一电极层上沉积内部介电层，以便与所述衬底平面成所述角度地形成内部介电片；在所述内部介电层上沉积第二电极层以便与所述衬底平面成所述角度地形成第二电极片，其中所述第一电极片和所述第二电极片形成电极片对，所述电极片对由所述第一电极片与所述第二电极片之间的所述内部介电片间隔开；在所述第二电极层上沉积外部介电层，以便与所述衬底平面成角度地形成外部介电片；重复沉积所述第一电极层、所述内部介电层、所述第二电极层和所述外部介电层至少一次以形成间隔开的电极片对，其中内部介电片位于所述电极片对中的每个电极片之间，且外部介电片位于每个电极片对之间；平面化所述电极片对、所述内部介电片和所述外部介电片；以及去除每个内部介电片的暴露端部，以便在每个内部介电片中形成从平面化边缘朝向所述衬底下降的凹槽。