[发明专利]形成自对准通孔的方法在审
| 申请号： | 201780059692.9 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109791913A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 戴维·汤普森;本杰明·施密格;杰弗里·W·安西斯;阿布海杰特·巴苏·马利克;苏米特·辛格·罗伊;段子晴 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述多种处理方法，所述方法包括：透过掩模选择性正交地生长第一材料，而提供扩展的第一材料。可移除该掩模，而留下从该第一材料的表面正交延伸的该扩展的第一材料。进一步的处理可产生自对准通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 第一材料 自对准 通孔 掩模 正交 方法描述 可移除 生长 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，包括下述步骤：提供具有基板表面的基板，所述基板表面包括第一材料的第一表面以及第二材料的第二表面，所述第二材料与所述第一材料不同；将掩模形成于所述基板上，所述掩模具有开口，所述开口暴露所述第一表面与所述第二表面的至少一部分；使所述第一材料扩展而正交地生长扩展的第一材料达到比所述第二表面更大的高度；以及从所述基板移除所述掩模，而留下从所述基板表面正交延伸的所述第一材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
