[发明专利]包含具有含超晶格电子平均自由程控制层的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法有效
| 申请号： | 201780059913.2 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109791953B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | R·J·梅尔斯;武内英树;M·伊萨 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L21/329;H01L29/15 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层，以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。DBRTD还可以包含在第一势垒层上的第一本征半导体层、在第一本征半导体层上的且同样包含超晶格的第二势垒层、在第二势垒层上的第二本征半导体层、在第二本征半导体层上的且同样包含超晶格的第三势垒层。第三本征半导体层可以位于第三势垒层上，第四势垒层可以位于第三本征半导体层上且同样包含超晶格，第二掺杂半导体层位于第四势垒层上。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 具有 晶格 电子 平均自由程 控制 共振 二极管 结构 半导体器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)，其包含第一掺杂半导体层，在所述第一掺杂半导体层上的且包含超晶格的第一势垒层，所述超晶格包含多个堆叠的层组，每个层组包含用于限定基底半导体部分的多个堆叠的基底半导体单层，以及被约束于相邻的基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层，在所述第一势垒层上的第一本征半导体层，在所述第一本征半导体层上的且也包含所述超晶格的第二势垒层，在所述第二势垒层上的第二本征半导体层，在所述第二本征半导体层上的且也包含所述超晶格的第三势垒层，在所述第三势垒层上的第三本征半导体层，在所述第三本征半导体层上的第四势垒层，以及在所述第四势垒层上的第二掺杂半导体层。
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