[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201780060220.5 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109863610B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 丹羽纪隆;稻津哲彦;须崎泰正;绳田晃史;田中觉 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社;SCIVAX株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L21/3065;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;朴哲华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体发光元件(10)包括具有光取出面(主表面(22b))的光取出层(衬底(22))。光取出层具有：多个锥形状部(52)，其被阵列状地形成在光取出面上；以及多个粒状部(56)，其被形成在锥形状部(52)的侧面部及位于相邻的锥形状部(52)间的谷部的平坦部这两者上。半导体发光元件(10)的制造方法包括在光取出层上形成具有阵列状的图案的掩膜的工序、以及从掩膜上对掩膜及光取出层进行刻蚀的工序。进行刻蚀的工序包含进行干法刻蚀直到整个掩膜被除去为止的第1干法刻蚀工序、以及从掩膜被除去起进一步对光取出层进行干法刻蚀的第2干法刻蚀工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其包括具有光取出面的光取出层；该半导体发光元件的特征在于，上述光取出层具有：多个锥形状部，其被阵列状地形成在上述光取出面上，以及多个粒状部，其被形成在上述锥形状部的侧面部及位于相邻的锥形状部间的谷部的平坦部这两者上。
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