[发明专利]碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201780061273.9 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN109791879B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 堀勉 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种碳化硅外延衬底，所述碳化硅外延衬底包含：碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有100mm以上的直径并且包括相对于{0001}面以大于0°且不大于8°的角度倾斜的主表面；碳化硅外延层，所述碳化硅外延层形成在所述主表面上并具有20μm以上的厚度；以及基面位错，所述基面位错包含在所述碳化硅外延层中并且具有连接到包含在所述碳化硅外延层中的螺纹螺旋位错的一端和存在于所述碳化硅外延层的表面中的另一端。所述基面位错在相对于{0001}基面中的11‑20方向具有20°以上且80°以下的倾斜度的方向上延伸。所述基面位错的密度为0.05/cm |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 衬底 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅外延衬底，所述碳化硅外延衬底包含：碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有100mm以上的直径并且包括相对于{0001}面以大于0°且不小于8°的角度倾斜的主表面；碳化硅外延层，所述碳化硅外延层形成在所述主表面上并具有20μm以上的厚度；以及基面位错，所述基面位错包含在所述碳化硅外延层中并且具有连接到包含在所述碳化硅外延层中的螺纹螺旋位错的一端和存在于所述碳化硅外延层的表面中的另一端，其中所述基面位错在相对于{0001}基面中的<11‑20>方向具有20°以上且80°以下的倾斜度的方向上延伸，并且其中所述基面位错的密度为0.05/cm2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
