[发明专利]用于半导体晶片检验的三维成像有效
申请号: | 201780061620.8 | 申请日: | 2017-10-05 |
公开(公告)号: | CN109791897B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | P·科尔钦;R·达南;P·梅斯热 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文中描述用于基于三维图像的半导体晶片上的所关注缺陷DOI的改进检测与分类的方法及系统。厚分层结构的体积的三维成像以高处理量实现在三个维度中的精确缺陷检测及缺陷位置的估计。在数个不同晶片深度处获取一系列图像。从所述系列图像产生厚半导体结构的三维图像。基于所述厚半导体结构的所述三维图像的分析来对缺陷进行识别及分类。在一些实例中,通过等高线图或横截面图来可视化三维图像堆叠以识别特性缺陷响应。在一些实例中,以算法方式处理所述三维图像以对缺陷进行识别及分类。在另一方面中,基于所述三维图像,在三个维度中估计缺陷的位置。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 晶片 检验 三维 成像 | ||
【主权项】:
1.一种系统,其包括:光学子系统,其包括:照明子系统,其将一定量的照明光提供到经安置于衬底上的垂直堆叠结构;集光子系统,其响应于由所述照明子系统提供的所述一定量的照明光而收集来自所述垂直堆叠结构的光,其中所述光学子系统在经定位于所述垂直堆叠结构的多个不同深度处的多个焦平面中的每一者处产生聚焦光学图像;检测器,其经配置以检测在所述多个不同深度中的每一者处收集的所述光,且产生指示在所述多个不同深度中的每一者处收集的光量的多个输出信号;及计算系统,其经配置以:接收所述多个输出信号;及基于所述多个输出信号来产生由所述垂直堆叠结构的所述多个不同深度跨越的经检验体积的三维图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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