[发明专利]用于半导体晶片检验的三维成像有效

专利信息
申请号: 201780061620.8 申请日: 2017-10-05
公开(公告)号: CN109791897B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: P·科尔钦;R·达南;P·梅斯热 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘丽楠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文中描述用于基于三维图像的半导体晶片上的所关注缺陷DOI的改进检测与分类的方法及系统。厚分层结构的体积的三维成像以高处理量实现在三个维度中的精确缺陷检测及缺陷位置的估计。在数个不同晶片深度处获取一系列图像。从所述系列图像产生厚半导体结构的三维图像。基于所述厚半导体结构的所述三维图像的分析来对缺陷进行识别及分类。在一些实例中,通过等高线图或横截面图来可视化三维图像堆叠以识别特性缺陷响应。在一些实例中,以算法方式处理所述三维图像以对缺陷进行识别及分类。在另一方面中,基于所述三维图像,在三个维度中估计缺陷的位置。
搜索关键词: 用于 半导体 晶片 检验 三维 成像
【主权项】:
1.一种系统,其包括:光学子系统,其包括:照明子系统,其将一定量的照明光提供到经安置于衬底上的垂直堆叠结构;集光子系统,其响应于由所述照明子系统提供的所述一定量的照明光而收集来自所述垂直堆叠结构的光,其中所述光学子系统在经定位于所述垂直堆叠结构的多个不同深度处的多个焦平面中的每一者处产生聚焦光学图像;检测器,其经配置以检测在所述多个不同深度中的每一者处收集的所述光,且产生指示在所述多个不同深度中的每一者处收集的光量的多个输出信号;及计算系统,其经配置以:接收所述多个输出信号;及基于所述多个输出信号来产生由所述垂直堆叠结构的所述多个不同深度跨越的经检验体积的三维图像。
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