[发明专利]正面型图像传感器和用于制造这种传感器的方法有效
| 申请号： | 201780061756.9 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109791938B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 沃尔特·施瓦岑贝格 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘爱勤;黄纶伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种正面型图像传感器，包括：衬底，所述衬底依次包括P‑型掺杂半导体支撑衬底(1)、电绝缘层(2)和被称作有源层的半导体层(3)；以及位于所述衬底的所述有源层中的光电二极管的矩阵阵列，其特征在于，所述衬底在所述支撑衬底(1)与所述电绝缘层(2)之间包括P+型掺杂半导体外延层(4)。本发明还涉及一种用于制造所述传感器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 正面 图像传感器 用于 制造 这种 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种正面型图像传感器，包括：‑衬底，所述衬底依次包括P‑型掺杂半导体支撑衬底(1)、电绝缘层(2)和被称作有源层的半导体层(3)，以及‑位于所述衬底的所述有源层(3)中的光电二极管的矩阵阵列，其特征在于，所述衬底在所述支撑衬底(1)与所述电绝缘层(2)之间包括P+型掺杂半导体外延层(4)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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