[发明专利]外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201780061762.4 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109891552A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 古谷和也;小野敏昭;鸟越和尚 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法。所述外延硅晶片的制造方法具备：外延膜形成工序，在三氯硅烷气体环境下，在硅晶片的表面形成由硅构成的外延膜；以及氮浓度设定工序，在氮气环境下，对在外延膜形成工序中形成了外延膜的硅晶片进行热处理而在外延膜上形成氮化膜，并利用该氮化膜的向内扩散来设定外延膜表面的氮浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延硅晶片 外延膜 形成工序 氮化膜 硅晶片 制造 外延膜表面 热处理 表面形成 氮气环境 浓度设定 气体环境 三氯硅烷 向内 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种外延硅晶片，在硅晶片的表面设置有由硅构成的外延膜，该外延硅晶片的特征在于：所述外延膜表面的氮浓度为5.0×1013atoms/cm3以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
