[发明专利]具有比字线更厚的选择栅极电极的三维存储器器件及其制造方法有效
申请号: | 201780061839.8 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN109863597B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | K.重村;有吉润一;M.堤;佐野道明;张艳丽;R.马卡拉;J.刘;M.乔杜里;J.阿尔斯梅尔 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | H10B43/27 | 分类号: | H10B43/27;H10B43/35 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军;李莹 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种三维存储器器件,所述三维存储器器件包括位于衬底上的绝缘层和导电层的交替堆叠体,所述交替堆叠体具有存储器阵列区域和包含阶梯表面的接触区域,以及具有半导体沟道和延伸穿过所述交替堆叠体的所述存储器阵列区域的存储器膜的存储器堆叠结构。所述导电层包括漏极选择栅极电极和字线,其中所述漏极选择栅极电极比每个所述字线更厚。 | ||
搜索关键词: | 具有 字线更厚 选择 栅极 电极 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种三维存储器器件,包括:绝缘层和导电层的交替堆叠体,所述交替堆叠体位于衬底上,所述交替堆叠体具有存储器阵列区域和包含阶梯表面的接触区域;和存储器堆叠结构,所述存储器堆叠结构包括半导体沟道和延伸穿过所述交替堆叠体的所述存储器阵列区域的存储器膜;其中所述导电层包括漏极选择栅极电极和字线,并且其中所述漏极选择栅极电极在所述存储器阵列区域中具有比每个所述字线更大的有效厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司,未经桑迪士克科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780061839.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。