[发明专利]使用基于卤化物的前体沉积无金属ALD氮化硅膜的方法在审
| 申请号： | 201780062174.2 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109891550A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·S·思姆斯;乔恩·亨利;拉梅什·钱德拉塞卡拉;安德鲁·约翰·麦克罗;萨沙撒耶·瓦拉达拉简;凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法，其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中，所述方法包括：(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面，(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层，(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层，以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷表面 半导体 衬底 沉积 喷头 氮化硅膜 含卤化物 底涂层 反应室 氧化物 等离子体增强原子层沉积 沉积氮化硅膜 氟等离子体 原子层沉积 衬底转移 工艺气体 气体出口 氮化硅 反应区 卤化物 预涂层 前体 支撑 金属 清洁 引入 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法，其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中，所述方法包括：(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面；(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层；(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层；以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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