[发明专利]用于三维存储器器件中直接源极接触的灯泡形存储器堆叠结构

摘要

掩埋源极层的源极带结构和存储器结构内的半导体沟道之间的接触面积可以通过横向扩展其中形成存储器堆叠结构的源极级体积进行增加。在一个实施方案中，可以在形成绝缘层和牺牲材料层的垂直交替堆叠体之前在源极级存储器开口中形成牺牲半导体基座。存储器开口可以包括通过移除牺牲半导体基座形成的凸出部分。存储器堆叠结构可以形成为在凸出部分中具有较大的侧壁表面积，以提供与源极带结构较大的接触面积。或者，在形成存储器开口期间或之后，可以相对于上部部分选择性地扩展存储器开口的底部部分，以提供凸出部分并增加与源极带结构的接触面积。

主权项

1.一种三维存储器器件，包括：导电层和绝缘层的垂直交替堆叠体，所述导电层和绝缘层的垂直交替堆叠体位于衬底上方的源极半导体层上方；存储器堆叠结构的阵列，所述阵列延伸穿过所述垂直交替堆叠体并进入所述源极半导体层的上部部分，每个存储器堆叠结构包括半导体沟道和横向围绕所述半导体沟道的存储器膜，其中每个存储器堆叠结构的下部部分具有凸出部分，所述凸出部分具有比所述相应存储器堆叠结构的上覆部分大的横向尺寸，所述上覆部分邻接所述凸出部分的顶端；和至少一个源极带结构，所述至少一个源极带结构在每个存储器堆叠结构的所述凸出部分的层级处接触所述存储器堆叠结构的所述半导体沟道的相应子集。