[发明专利]集成有工程化衬底的电子功率器件有效
| 申请号： | 201780062397.9 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109804456B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;迪利普·瑞思布德;奥兹古·阿克塔斯;杰姆·巴斯切里 | 申请（专利权）人： | 克罗米斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/06;H01L29/02;C30B29/00;C30B33/10;C30B33/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率器件，包括衬底，该衬底包括：多晶陶瓷芯、耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层、耦合至所述第一粘附层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的键合层以及耦合至所述键合层的实质单晶层。所述功率器件还包括：耦合至所述实质单晶层的缓冲层以及耦合至所述缓冲层的沟道区。所述沟道区包括：第一端、第二端以及设置在所述第一端与第二端之间的中心部。所述沟道区还包括耦合至所述缓冲层的沟道区阻挡层。所述功率器件进一步包括：设置在所述沟道区的第一端的源极接触、设置在所述沟道区的第二端的漏极接触、以及耦合至所述沟道区的栅极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 工程 衬底 电子 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，包括：衬底，所述衬底包括：多晶陶瓷芯；耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层；耦合至所述第一粘附层的阻挡层；耦合至所述阻挡层的键合层；和耦合至所述键合层的实质单晶层；耦合至所述实质单晶层的缓冲层；耦合至所述缓冲层的沟道区，其中，所述沟道区包括：第一端、第二端以及设置在所述第一端与所述第二端之间的中心部，所述沟道区包括耦合至所述缓冲层的沟道区阻挡层；设置在所述沟道区的所述第一端处的源极接触；设置在所述沟道区的所述第二端处的漏极接触；和耦合至所述沟道区的栅极接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
