[发明专利]具有增强性能的晶片级封装

摘要

本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片驻留在所述多层再分布结构的顶部表面上方。所述多层再分布结构包括至少一个支撑垫(52(1))，所述至少一个支撑垫在所述多层再分布结构的底部表面上并且与所述第一薄化裸片垂直地对准。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口(54)。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。

主权项

1.一种设备，所述设备包括：·第一薄化裸片，所述第一薄化裸片包括第一装置层和在所述第一装置层上方的第一介电层，其中所述第一装置层包括在所述第一装置层的底部表面处的多个第一裸片触点；·多层再分布结构，所述多层再分布结构包括至少一个第一支撑垫、多个封装触点和再分布互连件，其中：·所述第一薄化裸片驻留在所述多层再分布结构的顶部表面上方；·所述至少一个第一支撑垫在所述多层再分布结构的底部表面上并且与所述第一薄化裸片垂直地对准，使得所述至少一个第一支撑垫被放置在所述第一薄化裸片正下方；·所述多个封装触点在所述多层再分布结构的所述底部表面上，并且与所述至少一个第一支撑垫电隔离；并且·所述再分布互连件将所述多个封装触点连接到所述多个第一裸片触点中的特定第一裸片触点；·第一模化合物，所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口，其中所述第一薄化裸片的所述顶部表面在所述开口的底部暴露；以及·第二模化合物，所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。