[发明专利]用于过程控制的计量系统及方法

摘要

本文中呈现用于基于在过程间隔期间对晶片进行的重复测量估计所关注参数的值的方法及系统。在一个方面中，一或多个光学计量子系统与例如蚀刻工具或沉积工具等过程工具集成。使用在处理所述晶片时测量的一或多个所关注参数的值来控制所述过程本身。快速地且以足够准确度执行所述测量以实现半导体制造过程流程的良率改进。在一个方面中，使用经训练信号响应计量SRM测量模型来基于被处理晶片的光谱测量估计一或多个所关注参数的值。在另一方面中，采用经训练信号净化模型以在处理所述晶片时从经测量光谱产生净化光谱。

主权项

1.一种半导体晶片处理系统，其包括：半导体制造过程腔室，其包括制造过程环境；半导体晶片，其安置于所述制造过程腔室内部且在过程间隔期间曝露于所述制造过程环境；计量子系统，其包括：照明源，其经配置以在所述过程间隔期间的多个不同时间提供引导到所述半导体晶片的表面上的测量点的宽带照明光量；光谱仪，其经配置以收集来自所述半导体晶片的反射光量，且在所述过程间隔期间的所述多个不同时间中的每一者处检测在波长范围内的所述半导体晶片对所述宽带照明光量的光谱响应；光学子系统，其经配置以在所述过程间隔期间将所述宽带照明光量从所述照明源引导到所述半导体晶片的所述表面上的所述测量点，且将从所述半导体晶片的所述表面上的所述测量点反射的所述光量引导朝向所述光谱仪；及计算系统，其经配置以在所述多个不同时间中的每一者处基于经训练信号响应计量SRM测量模型确定与所述半导体晶片相关联的一或多个所关注参数的值，所述经训练信号响应计量SRM测量模型使所述半导体晶片的所述光谱响应与所述多个不同时间中的每一者处的所述一或多个所关注参数的所述值函数相关。