[发明专利]包含具有硼层的硅衬底上的场发射器的多柱电子束光刻

摘要

一种多柱电子束装置包含电子源，所述电子源包括制造在硅衬底的表面上的多个场发射器。为防止所述硅氧化，将薄的连续硼层直接安置在所述场发射器的输出表面上。所述场发射器可呈各种形状，包含锥体、圆锥或圆形晶须。可将任选栅极层放置在所述场发射器附近的所述输出表面上。所述场发射器可进行p型或n型掺杂。可将电路并入到晶圆中以控制发射电流。光源可经配置以照射所述电子源且控制所述发射电流。所述多柱电子束装置可为经配置以将图案写入在样本上的多柱电子束光刻系统。

主权项

1.一种电子束光刻系统，其包括：多个柱，所述柱中的每一者具有电子光学器件，其中所述电子光学器件经配置以缩小电子束且将其聚焦到样本上；电子源，其经配置以生成引导朝向所述样本的所述电子束中的至少两者，其中所述电子源包含：硅衬底，其具有顶表面；至少两个场发射器，其直接形成在所述硅衬底的所述顶表面上，其中每一场发射器包括锥体、圆锥或圆形晶须，其中所述硅衬底上的所述场发射器中的每一者与所述柱中的一者对准，其中所述场发射器各自经配置以将所述电子束中的一者发射到所述柱中的一者中；及硼层，其安置在每一场发射器上，其中所述硼层是大于90％的硼；载台，其经配置以固持所述样本，其中所述电子束光刻系统经配置以用所述至少两个电子束将图案写入在所述样本上；浸没透镜，其用于所述柱中的每一者，所述浸没透镜经配置以将原电子束聚焦在所述样本上；及反向散射电子检测器，其经配置以检测来自所述样本的表面的反向散射电子。