[发明专利]深宽比依赖性降低的选择性蚀刻的方法

摘要

提供了一种相对于掩模选择性蚀刻蚀刻层的方法。提供包括多个蚀刻循环的蚀刻工艺，其中每个蚀刻循环包括：提供沉积阶段和蚀刻阶段。所述沉积阶段包括：提供沉积阶段气体流，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述沉积阶段气体形成等离子体；以及停止所述沉积阶段。所述蚀刻阶段包括：提供蚀刻阶段气体流，所述蚀刻阶段气体包含具有比所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率低的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率；以及停止所述蚀刻阶段。

主权项

1.一种相对于掩模选择性蚀刻具有隔离区域和密集区域的蚀刻层的方法，其包括：将所述蚀刻层放置在处理室中；提供包括多个蚀刻循环的蚀刻工艺，其中每个蚀刻循环包括：提供沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流到所述处理室内，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述沉积阶段气体形成等离子体；以及停止所述沉积阶段；并且提供蚀刻阶段，其包括：提供蚀刻阶段气体流到所述处理室中，所述蚀刻阶段气体包含具有比所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率低的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述蚀刻阶段气体形成等离子体；以及停止所述蚀刻阶段。