[发明专利]具有增强性能的晶片级封装

摘要

本公开涉及一种用于增强晶片级封装的热性能和电气性能的封装工艺。具有增强性能的所述晶片级封装包括具有第一装置层(20)的第一薄化裸片(14)、多层再分布结构(52)、第一模化合物(42)以及第二模化合物(74)。所述多层再分布结构包括在所述多层再分布结构的底部表面上的多个封装触点，和将所述第一装置层连接到所述封装触点的再分布互连件。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的空腔(66)。所述第二模化合物填充所述空腔，并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。

主权项

1.一种方法，所述方法包括：·提供具有第一裸片和第一模化合物的模晶片，其中：·所述第一裸片包括第一装置层、在所述第一装置层上方的第一介电层和在所述第一介电层上方的第一硅衬底，其中所述第一装置层包括在所述第一装置层的底部表面处的多个第一裸片触点；·所述第一裸片的顶部表面是所述第一硅衬底的顶部表面，并且所述第一裸片的底部表面是所述第一装置层的所述底部表面；并且·所述第一模化合物包封所述第一裸片的侧面和所述顶部表面，其中所述第一装置层的所述底部表面暴露；·在所述模晶片下面形成多层再分布结构，其中：·所述多层再分布结构包括在所述多层再分布结构的底部表面上的多个封装触点，和将所述多个封装触点连接到所述多个第一裸片触点中的特定第一裸片触点的再分布互连件；·所述多个封装触点中的每一个是分开的并且被连续气隙包围，其中所述连续气隙在所述第一裸片下面延伸；并且·所述再分布互连件与所述多个第一裸片触点之间的连接不含焊料；·形成介电层以填充所述连续气隙，其中所述介电层具有平面化的底部表面；·使所述第一模化合物变薄，以暴露所述第一硅衬底的所述顶部表面；·大体上移除所述第一裸片的所述第一硅衬底，以提供第一薄化裸片并且形成在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的空腔，其中所述第一薄化裸片具有在所述空腔的底部处暴露的顶部表面；以及·涂覆第二模化合物，以大体上填充所述空腔并且直接接触所述第一薄化裸片的所述顶部表面。