[发明专利]GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器有效
| 申请号： | 201780063581.5 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN109863654B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | B.加森德;P-Y.德罗兹 | 申请（专利权）人： | 伟摩有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S3/11 | 分类号： | H01S3/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金玉洁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及可以促进亚5纳秒激光二极管操作的系统和电路。示例系统包括触发源、激光二极管、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。激光二极管耦合到供电电压和第一场效应晶体管的漏极端子。第一场效应晶体管的源极端子耦合到地并且第一场效应晶体管的栅极端子耦合到触发源。第二场效应晶体管的漏极端子耦合到供电电压。第二场效应晶体管的源极端子和第二场效应晶体管的栅极端子耦合到地。在示例实施例中，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管包括氮化镓(GaN)。 | ||
| 搜索关键词： | ganfet 作为 用于 快速 激光 脉冲 发生器 储能器 | ||
【主权项】：
1.一种系统，包括：触发源；激光二极管；第一场效应晶体管，其中所述激光二极管耦合到供电电压和第一场效应晶体管的漏极端子，其中第一场效应晶体管的源极端子耦合到地，其中第一场效应晶体管的栅极端子耦合到所述触发源；和第二场效应晶体管，其中第二场效应晶体管的漏极端子耦合到所述供电电压，其中第二场效应晶体管的源极端子和第二场效应晶体管的栅极端子耦合到地。
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