[发明专利]摄像元件和电子设备有效

专利信息
申请号: 201780063643.2 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN109906512B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 横川创造;伊藤干记;押山到 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N25/70
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种背面照射型摄像元件,其能够提高对红外光的灵敏度;还涉及一种电子设备。根据本发明的摄像元件设置有:设置有光电转换部的半导体基板;配线层,其布置在半导体基板的位于光接收表面的相对侧的表面上,并且包括配线和反射膜;和层叠在半导体基板和配线层之间的绝缘膜。反射膜布置在绝缘膜和配线层之间,并且在作为半导体基板和配线层的层叠方向的第一方向上与每个像素的光电转换部的至少一部分重叠;并且在绝缘膜和反射膜之间的第一层间膜比绝缘膜厚。本发明例如可以用于背面照射型CMOS图像传感器。
搜索关键词: 摄像 元件 电子设备
【主权项】:
1.一种摄像元件,其包括:半导体基板,在所述半导体基板上形成有光电转换单元;配线层,其布置在与所述半导体基板的光接收表面相对的侧上,并且设置有配线和反射膜;以及绝缘膜,其堆叠在所述半导体基板和所述配线层之间,其中,所述反射膜布置在所述绝缘膜和所述配线之间,并且在所述半导体基板和所述配线层堆叠的第一方向上与每个像素的所述光电转换单元的至少一部分重叠,并且,在所述绝缘膜和所述反射膜之间的第一层间膜比所述绝缘膜厚。
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