[发明专利]干法蚀刻装置及其控制方法有效
| 申请号： | 201780063840.4 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN109891557B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 崔相俊;姜智声 | 申请（专利权）人： | 库库创作股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可适用于所有的材质且精密度优秀的干法蚀刻装置及其控制方法，在适用本发明的一形态中，公开一种干法蚀刻装置，包括：阳极部；阴极部，在上述阳极部的上侧以与上述阳极部相向的方式配置，加载电压的极性随着时间交替变更为正电压以及负电压的双向电压电源，与上述阳极部间隔一定距离配置；扁平部，贴紧于上述阴极部中与阳极部相向的面上，用于使作业对象物质保持平坦状态；搁置部，用于将作业对象物质以及扁平部固定到上述阴极部中与阳极部相向的面上；以及，双向电压电源供应部，用于向上述阴极部加载上述双向电压电源。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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