[发明专利]用于单个鳍片的自对准切割的方法在审
| 申请号： | 201780064667.X | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109863605A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 尼哈尔·莫汉蒂 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L21/027;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本文中的技术使用在套准要求放宽多至3倍的情况下能够进行单个鳍片切割(切割其他鳍片之外的单个鳍片)的基于自对准的工艺。实施方案可以通过形成使用多种不同材料的鳍片来实现该益处。例如，鳍片阵列可以包括构成每个鳍片的材料的类型交替的平行鳍片。选择具有不同抗蚀刻性的不同材料。在这样的配置下，使用蚀刻掩模的组合并且区分材料抗性，露出多于一个鳍片(由于套准误差和/或光刻分辨率限制)的蚀刻掩模仍然可以切割期望的鳍片。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片 切割 蚀刻掩模 自对准 光刻分辨率 技术使用 抗蚀刻性 平行鳍片 套准误差 鳍片阵列 交替的 抗性 套准 期望 配置 | ||
【主权项】：
1.一种使基底图案化的方法，所述方法包括：在基底上形成第一组鳍片结构，所述第一组鳍片结构形成为第一平行线阵列，其中所述第一组鳍片结构的给定相邻鳍片结构的间隔足以允许另外的鳍片结构插入所述第一组鳍片结构的鳍片结构中，以产生具有在所述第一组鳍片结构的给定鳍片结构与另外的鳍片结构的给定相邻鳍片结构之间的空间的交替鳍片结构阵列；通过沉积第一填充材料来使所述基底平坦化，所述第一填充材料填充所述第一组鳍片结构的鳍片结构之间的空间；在所述基底上形成第二组鳍片结构，所述第二组鳍片结构形成为第二平行线阵列，其中所述第二组鳍片结构设置成使得所述第二组鳍片结构的鳍片结构在高度方向上被所述第一组鳍片结构的鳍片结构所插入；以及进行第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺将包括所述第二组鳍片结构的图案转移到所述第一填充材料中而不去除所述第一组鳍片结构，所述第一蚀刻工艺产生第三组鳍片结构，其中所述第三组鳍片结构的鳍片结构与所述第一组鳍片结构的鳍片结构相交替，所述第三组鳍片结构与所述第一组鳍片结构共面，其中所述第一组鳍片结构具有与所述第三组鳍片结构相比不同的抗蚀刻性。
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