[发明专利]具有电子收集电极和空穴收集电极的图像传感器有效
申请号: | 201780064716.X | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN109863603B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | E·曼德利;Z·M·贝利;N·E·伯克 | 申请(专利权)人: | 因维萨热技术公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 成像装置(100,200,300)包括感光介质(302),所述感光介质被配置为将入射光子转换为电子和空穴对。像素电路(304)阵列形成于半导体衬底(305)上。每个像素电路限定相应的像素并包括在像素中的第一位置处与感光介质接触的电子收集电极(306,502)和在像素中的第二位置处与感光介质接触的空穴收集电极(308,504)。电路(800,1000)被耦接以向电子收集电极施加正电势以及从电子收集电极收集电子,并且向空穴收集电极施加负电势以及从空穴收集电极收集空穴,并且响应于所收集的电子和空穴而输出指示入射光子的强度的信号。 | ||
搜索关键词: | 具有 电子 收集 电极 空穴 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,所述成像装置包括:感光介质,所述感光介质被配置为将入射光子转换为电子和空穴对;和像素电路阵列,所述像素电路阵列形成于半导体衬底上,每个像素电路限定相应的像素并包括:电子收集电极,所述电子收集电极在所述像素中的第一位置处与所述感光介质接触;空穴收集电极,所述空穴收集电极在所述像素中的第二位置处与所述感光介质接触;和电路,所述电路被耦接以向所述电子收集电极施加正电势以及从所述电子收集电极收集所述电子,并且向所述空穴收集电极施加负电势以及从所述空穴收集电极收集所述空穴,并且响应于所收集的电子和空穴而输出指示所述入射光子的强度的信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的