[发明专利]化合物半导体器件有效
| 申请号： | 201780065035.5 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109844913B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木肇 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在衬底(1)之上形成有半导体层(2、3)。在半导体层(3)之上形成有栅极电极(4)、源极电极(5)以及漏极电极(6)。第1钝化膜(7)覆盖栅极电极(4)以及半导体层(3)。源极场板(9)形成于第1钝化膜(7)之上，从源极电极(5)延伸至栅极电极(4)和漏极电极(6)之间。第2钝化膜(10)覆盖第1钝化膜(7)以及源极场板(9)。第1钝化膜(7)具有准导电性薄膜(8)，该准导电性薄膜(8)至少形成于栅极电极(4)和漏极电极(6)之间，电阻率为1.0Ω·cm～10 |
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| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体器件，其特征在于，具有：衬底；半导体层，其形成于所述衬底之上；栅极电极、源极电极以及漏极电极，它们形成于所述半导体层之上；第1钝化膜，其覆盖所述栅极电极以及所述半导体层；源极场板，其形成于所述第1钝化膜之上，从所述源极电极延伸至所述栅极电极和所述漏极电极之间；以及第2钝化膜，其覆盖所述第1钝化膜以及所述源极场板，所述第1钝化膜具有准导电性薄膜，该准导电性薄膜至少形成于所述栅极电极和所述漏极电极之间，电阻率为1.0Ω·cm～1010Ω·cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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