[发明专利]用于在光致抗蚀剂衬底上生成图案的光刻设备有效
申请号: | 201780065057.1 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN109891318B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 阿尔乔姆·博里斯金;劳伦·布朗德 | 申请(专利权)人: | 交互数字CE专利控股公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;G03F7/20 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 林强 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在本公开的一个实施例中,提出了一种用于在光致抗蚀剂衬底上生成结构的光刻设备,光刻设备包括光照单元和光掩模。光掩模的显著之处在于它包括至少一个电介质材料层和折射率低于所述电介质材料的折射率的介质,其中,该至少一个电介质材料层的表面具有形成台阶的至少一个突然的水平变化,并且其中,至少所述表面相对于所述台阶和来自所述光照单元的电磁波的传播方向的基部和侧部与所述介质接触。 | ||
搜索关键词: | 用于 光致抗蚀剂 衬底 生成 图案 光刻 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于在光致抗蚀剂衬底上生成结构的光刻设备,所述光刻设备包括光照单元和光掩模,其中,所述光掩模生成纳米喷射近场图案,该纳米喷射近场图案直接修改所述光致抗蚀剂衬底以获得所述结构,并且其中,所述光掩模包括至少一个电介质材料层以及折射率低于所述电介质材料的折射率的介质,其中,所述至少一个电介质材料层的表面具有形成台阶的至少一个突然的水平变化,并且其中,至少所述表面相对于所述台阶和来自所述光照单元的电磁波的方向的基部和侧部与所述介质接触,并且其中,所述纳米喷射近场图案是来自所述表面的所述基部和侧部的电磁波的相长干涉。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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