[发明专利]形成III-氮化物材料的平坦表面在审
| 申请号： | 201780065102.3 | 申请日： | 2017-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN109863576A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | J·奥尔松 | 申请（专利权）人： | 六边钻公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 一种包括纳米结构的半导体装置，其包含III‑氮化物半导体晶体的平面层(1020)，所述层包括外延生长的纳米线结构(1010)的阵列，和半导体材料(1016)，所述半导体材料在外延生长之后在重组步骤中从所述纳米线结构再分布，经布置以填充所述纳米线结构之间的间距，其中所述纳米线结构的阵列和所述半导体材料形成粘结层。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线结构 半导体材料 外延生长 氮化物半导体晶体 半导体装置 纳米结构 平坦表面 平面层 再分布 粘结层 填充 | ||
【主权项】：
1.一种包括纳米结构的半导体装置，其包含III‑氮化物半导体晶体的平面层(1020)，所述层包括外延生长的纳米线结构(1010)的阵列，和半导体材料(1016)，所述半导体材料在外延生长之后在重组步骤中从所述纳米线结构再分布，经布置以填充所述纳米线结构之间的间距，其中所述纳米线结构的阵列和所述半导体材料形成粘结层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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