[发明专利]半导体器件和半导体逻辑器件有效
| 申请号： | 201780065165.9 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109891613B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 朴炳国;白承宪;朴京雄 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金景花;向勇 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，本发明实施例的基于自旋轨道矩(SOT:Spin Orbit Torque)效应的半导体器件(1000)的特征在于，包括第一电极以及连接于所述第一电极的第一单元和第二单元，所述第一单元和第二单元分别配置在所述第一电极上，并且包括隔着绝缘层配置有自由磁层和固定磁层的磁隧道结(MTJ:magnetic Tunnel Junction)，当施加到所述第一电极的面内的电流超过各个单元的阈值电流值时，所述第一单元和第二单元中的每一个的所述自由磁层的磁化方向改变，并且所述第一单元和第二单元的所述阈值电流值彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于自旋轨道矩(SOT:Spin Orbit Torque)效应的半导体器件，其特征在于，包括：第一电极；以及第一单元和第二单元，连接于所述第一电极，所述第一单元和第二单元分别配置在所述第一电极上，并且包括隔着绝缘层配置有自由磁层和固定磁层的磁隧道结(MTJ:magnetic Tunnel Junction)，若在所述第一单元和第二单元中，施加到所述第一电极的面内的电流超过各个单元的阈值电流值，则所述第一单元和第二单元中的每一个的所述自由磁层的磁化方向改变，所述第一单元和第二单元的所述阈值电流值彼此不同。
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