[发明专利]具有相位敏感像素的图像传感器有效
申请号: | 201780065409.3 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN109863604B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | A·派坦特亚斯-亚伯拉罕;N·E·伯克;E·曼德利 | 申请(专利权)人: | 因维萨热技术公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 成像装置(100,200)包括被配置为将入射光子转换为电荷载流子的感光介质(302)。偏压电极(304)覆盖该感光介质并向该感光介质施加偏压电势。一个或多个像素电路(306)形成在半导体基板上。每个像素电路限定相应像素(300)并包括第一像素电极和第二像素电极(316,318),该第一像素电极和第二像素电极(316,318)被耦接以在相应的第一位置和第二位置处从该感光介质收集该电荷载流子,并且第一传输栅极和第二传输栅极(326,328)分别靠近第一像素电极和第二像素电极。电路(700)被耦接以将不同的、相应的第一电势和第二电势施加到该第一传输栅极和第二传输栅极并改变该第一电势和第二电势,以便控制由该第一电极和第二电极收集的该电荷载流子的相对比例。 | ||
搜索关键词: | 具有 相位 敏感 像素 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,包括:感光介质,所述感光介质被配置为将入射光子转换为电荷载流子;偏压电极,所述偏压电极是至少部分地透明的并覆在所述感光介质上面,并被配置为将偏压电势施加到所述感光介质;和一个或多个像素电路,所述一个或多个像素电路形成在半导体基板上,每个像素电路限定相应像素并包括:第一像素电极和第二像素电极,所述第一像素电极和所述第二像素电极被耦接以在相应的第一位置和第二位置处从所述感光介质收集所述电荷载流子,所述第一位置和第二位置跨所述像素间隔开;第一传输栅极和第二传输栅极,所述第一传输栅极和所述第二传输栅极分别邻近所述第一像素电极和所述第二像素电极;和电路,所述电路被耦接以将不同的、相应的第一电势和第二电势施加到所述第一传输栅极和所述第二传输栅极并改变所述第一电势和所述第二电势,以便控制由所述第一电极和所述第二电极收集的所述电荷载流子的相对比例。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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