[发明专利]半导体装置

摘要

在IGBT区域(1a)与二极管区域(1b)之间、即与二极管区域(1b)邻接的位置，设置与IGBT区域(1a)相比高浓度P型层的形成比例较小的边界区域(1c)。由此，在复原时，能够抑制从IGBT区域(1a)向二极管区域(1b)的空穴注入，并且由于形成在边界区域(1c)中的高浓度P型层的形成比例较小，所以还能够使从边界区域(1c)的高浓度P型层的空穴注入量变少。因而，能够抑制复原时的最大逆向电流Irr的增加，并且能够使阴极侧的载流子密度变低而抑制尾电流的增大。由此，能够做成不仅能够降低开关损失、对于复原破坏也耐受性较高的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，具有IGBT及二极管，该半导体装置具有：半导体基板(10)，具有形成上述IGBT的IGBT区域(1a)和形成上述二极管的二极管区域(1b)、以及形成在上述IGBT区域与上述二极管区域之间的边界区域(1c)，包括第1导电型的漂移层(11)、形成在上述漂移层的表层部的第2导电型的基极层(12)、在上述IGBT区域及上述边界区域中形成在上述漂移层的与上述基极层侧相反侧的第2导电型的集电极层(21)、以及在上述二极管区域中形成在上述漂移层的与上述基极层侧相反侧的第1导电型的阴极层(22)；沟槽栅极构造，形成在上述IGBT区域和上述二极管区域及上述边界区域中，在通过将一方向作为长度方向并形成得比上述基极层深而将上述基极层划分为多个的多个沟槽(13)内，配置有栅极绝缘膜(16)及栅极电极(17)；第1导电型的发射极区域(14)，将上述IGBT区域中的上述基极层作为第1基极层(12a)，在被上述沟槽划分为多个的上述第1基极层中的至少一部分与上述沟槽接触而形成；第1接触区域(15a)，配置在上述第1基极层中的与上述发射极区域不同的部分；第2导电型的第2接触区域(15b)，将上述二极管区域及上述边界区域中的上述基极层作为第2基极层(12b)，在上述二极管区域中形成在上述第2基极层的表层部，第2导电型杂质浓度比该第2基极层高；第2导电型的第3接触区域(15c)，在上述边界区域中形成在上述第2基极层的表层部，第2导电型杂质浓度比该第2基极层高；上部电极(19)，除了上述发射极区域以外，还与上述第1接触区域和上述第2接触区域及上述第3接触区域电气地连接；以及下部电极(23)，与上述集电极层及上述阴极层电气地连接；相对于上述半导体基板的表面的每单位面积的上述第2接触区域的形成面积，上述第3接触区域的形成面积较小。