[发明专利]注入物再生长VCSEL和具有不同VCSEL类型的异构组合的VCSEL阵列有效
| 申请号： | 201780067041.4 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109891692B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 卢克·A·格拉哈姆;索尼娅·夸德里;迪帕·加祖拉;杨海泉 | 申请（专利权）人： | 菲尼萨公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郑斌;蔡胜有 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非平坦化VCSEL可包含：在有源区上方或下方的阻挡区，所述阻挡区具有第一厚度；阻挡区中的一个或更多个导电沟道芯，所述一个或更多个导电沟道芯具有大于第一厚度的第二厚度，其中所述阻挡区限定为具有注入物，并且所述一个或更多个导电沟道芯没有注入物，其中，所述阻挡区位于一个或更多个导电沟道芯的侧向，所述阻挡区和一个或更多个导电沟道芯成为隔离区；和在隔离区上方的一个或更多个非平坦化半导体层的非平坦化半导体区。VCSEL可包含在有源区下方的平坦化底部镜区和在隔离区上方的非平坦化顶部镜区，或者在有源区下方的非平坦化底部镜区。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 再生 vcsel 具有 不同 类型 组合 阵列 | ||
【主权项】：
1.非平坦化垂直腔面发射激光器(VCSEL)，其包含：在有源区上方或下方的阻挡区，所述阻挡区具有第一厚度；所述阻挡区中的一个或更多个导电沟道芯，所述一个或更多个导电沟道芯具有大于所述第一厚度的第二厚度，其中所述阻挡区限定为具有注入物，并且所述一个或更多个导电沟道芯没有所述注入物，其中所述阻挡区位于所述一个或更多个导电沟道芯的侧向，所述阻挡区和一个或更多个导电沟道芯成为隔离区；和所述隔离区上方的一个或更多个非平坦化半导体层的非平坦化半导体区。
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