[发明专利]具有合并的有源区域的垂直晶体管有效
| 申请号： | 201780067239.2 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109964318B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | B·A·安德森;A·朱;金成东;T·胡克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G06F30/392 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于具有垂直晶体管的器件布局(10)的方法，包括在具有垂直晶体管的半导体器件的布局(10)中识别有源区域(18，28)。确定具有相同电位的多组相邻有源区域(18，28)。基于一个或多个性能标准对要合并的多组相邻有源区域(18，28)进行优先级排序。根据优先级合并多组相邻有源区域(18，28)以形成更大的有源区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 合并 有源 区域 垂直 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于具有垂直晶体管的器件布局的方法，包括：识别具有垂直晶体管的半导体器件的布局中的有源区域；确定具有相同电位的多组相邻有源区域；基于一个或多个性能标准对要合并的所述多组相邻有源区域进行优先级排序；以及根据优先级合并所述多组相邻有源区域以形成更大的有源区域。
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