[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法有效
申请号: | 201780067282.9 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN109891560B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01Q3/34;H01Q3/44;H01Q13/22 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | TFT基板(105)的源极端子部(ST)具有包含于栅极金属层(3)的源极端子用下部连接部(3sA)和包含于导电层(19)的源极端子用上部连接部(19sA)。源极栅极连接部(SG)具有:源极下部连接配线(3sg),其包含于栅极金属层,连接到源极端子用下部连接部;源极总线连接部(7sg),其包含于源极金属层(7),连接到源极总线(SL);以及源极上部连接部(19sg),其包含于导电层,源极上部连接部在形成于栅极绝缘层(4)的第3开口部(4sg1)内与源极下部连接配线接触,在形成于层间绝缘层(11)的第5开口部(11sg2)内与源极总线连接部接触。 | ||
搜索关键词: | tft 基板 具备 扫描 天线 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种TFT基板,具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域,上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极,上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域,上述TFT基板的特征在于,具有:栅极金属层,其支撑于上述电介质基板,包含上述TFT的栅极电极和连接到上述栅极电极的栅极总线;栅极绝缘层,其形成于上述栅极金属层上;源极金属层,其形成于上述栅极绝缘层上,包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极、连接到上述源极电极的源极总线、以及上述贴片电极;层间绝缘层,其形成于上述源极金属层上;以及导电层,其形成于上述层间绝缘层上,上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极端子部和源极栅极连接部,上述源极端子部具有:源极端子用下部连接部,其包含于上述栅极金属层;第1开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述源极端子用下部连接部;第2开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠;以及源极端子用上部连接部,其形成于上述层间绝缘层上,包含于上述导电层,上述源极端子用上部连接部在上述第1开口部内与上述源极端子用下部连接部接触,上述源极栅极连接部具有:源极下部连接配线,其包含于上述栅极金属层,连接到上述源极端子用下部连接部;第3开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述源极下部连接配线;源极总线连接部,其包含于上述源极金属层,连接到上述源极总线;第4开口部,其形成于上述层间绝缘层,在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第3开口部重叠;第5开口部,其形成于上述层间绝缘层,到达上述源极总线连接部;以及源极上部连接部,其形成于上述层间绝缘层上,包含于上述导电层,上述源极上部连接部在上述第3开口部内与上述源极下部连接配线接触,在上述第5开口部内与上述源极总线连接部接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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